STD8N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2451 шт., срок 6-9 недель
2 540 ֏
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 100 шт. —
1 680 ֏
от 250 шт. —
1 540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 540 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 4,4А, 70Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD8N65M5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 600@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | MDmesh V |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 690@100V |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 50 |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
