STD9NM50N, MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

STD9NM50N, MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7282 шт., срок 6-9 недель
1 740 ֏
от 10 шт.1 340 ֏
от 100 шт.990 ֏
от 500 шт.780 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 740 ֏
Номенклатурный номер: 8004828026
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 7.5 A
Pd - рассеивание мощности 70 W
Qg - заряд затвора 14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 560 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 19 ns
Высота 2.4 mm
Длина 6.6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия STD9NM50N
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 45 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.2 mm
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet STD9NM50N
pdf, 948 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг