STD9NM50N, MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7282 шт., срок 6-9 недель
1 740 ֏
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
990 ֏
от 500 шт. —
780 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 19 ns |
Высота | 2.4 mm |
Длина | 6.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD9NM50N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.2 mm |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet STD9NM50N
pdf, 948 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг