STF11NM60ND, MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 шт., срок 6-9 недель
3 830 ֏
от 25 шт. —
2 800 ֏
от 100 шт. —
2 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Высота | 9.3 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | FDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF11NM60ND |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | FDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 450@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | FDmesh II |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 30 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 850@50V |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
