Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF12N50M2, MOSFETs N-channel 500 V ...

STF12N50M2, MOSFETs N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

305 шт., срок 6-9 недель

1 960 ֏

от 10 шт. — 1 560 ֏

от 100 шт. — 1 170 ֏

от 250 шт. — 1 010 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 960 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004828360

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	85 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	325 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	10.5 ns
Время спада	34.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF12N50M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	8 ns
Типичное время задержки при включении	13.5 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.325Ом
Power Dissipation	85Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	500В
Непрерывный Ток Стока	10А
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	85Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.325Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	34.5 ns
Id - Continuous Drain Current	10 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220FP-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	85 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	325 mOhms
Rise Time	10.5 ns
RoHS	Details
Series	MDmesh M2
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	8 ns
Typical Turn-On Delay Time	13.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Вес, г	2.3