STF20NF20, MOSFETs Low charge STripFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6296 шт., срок 6-9 недель
2 360 ֏
от 10 шт. —
1 380 ֏
от 100 шт. —
1 160 ֏
от 500 шт. —
990 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™, полевой, 200В, 11А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 13 S |
Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 90 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 28 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
Rise Time: | 30 ns |
Series: | STF20NF20 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг