STF24N60M2, MOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
955 шт., срок 6-9 недель
3 600 ֏
от 10 шт. —
2 140 ֏
от 25 шт. —
1 720 ֏
от 100 шт. —
1 510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 600 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 12А, 30Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 30W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 190mО© @ 9A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh M2 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Continuous Drain Current (Id) | 20A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг