STF28N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

612 шт., срок 6-9 недель

2 850 ֏

от 25 шт. — 2 090 ֏

от 100 шт. — 1 710 ֏

от 500 шт. — 1 460 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 850 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8004828397

Unclassified

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	21 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7.3 ns
Время спада	9.3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF28N60DM2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	53 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.3