Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF35N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V ...

STF35N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

935 шт., срок 6-9 недель

4 630 ֏

от 25 шт. — 3 380 ֏

от 100 шт. — 2 690 ֏

от 500 шт. — 2 450 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 630 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828407

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 17А, 40Вт Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	28 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	54 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	17 ns
Время спада	10.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF35N60DM2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	68 ns
Типичное время задержки при включении	21.2 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Base Product Number	STF35 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 14A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	MDmeshв„ў DM2 ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	10.7 ns
Id - Continuous Drain Current	28 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	40 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	54 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	110 mOhms
Rise Time	17 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	68 ns
Typical Turn-On Delay Time	21.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.6V
Maximum Continuous Drain Current	28 A
Maximum Drain Source Resistance	110 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	54 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	2.3