Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF35N65DM2, MOSFETs N-channel 650 V ...

STF35N65DM2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

778 шт., срок 6-9 недель

4 540 ֏

от 10 шт. — 4 000 ֏

от 25 шт. — 3 770 ֏

от 100 шт. — 3 460 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 540 ֏

Номенклатурный номер: 8004828408

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 650В, 20А, Idm: 90А Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	32 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	56.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF35N65DM2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.093Ом
Power Dissipation	40Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh DM2
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	32А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	40Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.093Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1.69