Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF40N65M2, MOSFETs N-channel 650 V ...

STF40N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

316 шт., срок 6-9 недель

6 400 ֏

от 10 шт. — 4 980 ֏

от 25 шт. — 4 540 ֏

от 100 шт. — 3 630 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 400 ֏

Номенклатурный номер: 8004828413

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT
STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	12 ns
Id - Continuous Drain Current:	32 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	25 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	56.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	87 mOhms
Rise Time:	10 ns
Series:	STF40N65M2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	96.5 ns
Typical Turn-On Delay Time:	15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.087Ом
Power Dissipation	25Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh M2
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	32А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.087Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Вес, г	1.95