STF6N60M2, MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1239 шт., срок 6-9 недель
1 920 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 080 ֏
от 500 шт. —
880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 920 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 2,9А, 20Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Qg - заряд затвора | 8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7.4 ns |
| Время спада | 22.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF6N60M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Base Product Number | STF6 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 232pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў II Plus -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.06Ом |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.06Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Case | TO220FP |
| Drain current | 2.9A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 1.2Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1109 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
