Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF6N62K3, MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STF6N62K3, MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1715 шт., срок 6-9 недель

1 380 ֏

от 10 шт. — 1 160 ֏

от 100 шт. — 1 010 ֏

от 1000 шт. — 880 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 380 ֏

Номенклатурный номер: 8004828427

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	5.5 A
Pd - рассеивание мощности	90 W
Qg - заряд затвора	34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.28 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	620 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.75 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	12.5 ns
Время спада	19 ns
Высота	9.3 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF6N62K3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	27 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	SuperMESH 3
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	620
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4.5
Maximum Continuous Drain Current (A)	5.5
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	9000
Maximum IDSS (uA)	0.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	34@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	34
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	875@50V
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Typical Fall Time (ns)	20
Typical Rise Time (ns)	12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	49
Typical Turn-On Delay Time (ns)	22
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Supplier Package	TO-220FP
Standard Package Name	TO-220
Pin Count	3
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	16.4(Max)
Package Length	10.4(Max)
Package Width	4.6(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Base Product Number	STF6 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	620V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	875pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.28Ohm @ 2.8A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SuperMESH3в„ў ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50ВµA
Вес, г	0.33