STF9NK90Z, MOSFETs N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
877 шт., срок 6-9 недель
3 650 ֏
от 10 шт. —
3 430 ֏
от 25 шт. —
2 860 ֏
от 100 шт. —
2 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 5А, 40Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Series: | STF9NK90Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 28 ns |
| Height | 9.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.3 Ohms |
| Rise Time | 13 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.6 mm |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Описание | 900V, 8A N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/1000 |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
...9NK90Z
pdf, 479 КБ
Datasheet
pdf, 970 КБ
STW9NK90Z
pdf, 989 КБ
STB9NK90Z, STF9NK90Z, STP9NK90Z, STW9NK90Z
pdf, 992 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
