STFU26N60M2, MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

924 шт., срок 6-9 недель

3 470 ֏

от 10 шт. — 2 760 ֏

от 25 шт. — 2 540 ֏

от 100 шт. — 1 970 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 470 ֏

Номенклатурный номер: 8004828458

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	165 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	8 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STFU26N60M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	66 ns
Типичное время задержки при включении	20.2 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	1.38