STGB6M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
![STGB6M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523997.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 шт., срок 5-8 недель
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 88 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 12 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 12 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGB6M65DF2 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 uA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet STGB6M65DF2
pdf, 788 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг