STGB6NC60HDT4, IGBT Transistors PowerMESH TM IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3311 шт., срок 5-8 недель
670 ֏
от 1000 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.7 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A |
| Continuous Collector Current: | 12 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGB6NC60HDT4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 899 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
