STGD10HF60KD, IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Ultrafast diode

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6347 шт., срок 7-9 недель

2 910 ֏

от 10 шт. — 2 290 ֏

от 100 шт. — 1 720 ֏

от 250 шт. — 1 470 ֏

1 шт. на сумму 2 910 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828510

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Pd - рассеивание мощности	62.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	18 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	10 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STGD10HF60KD
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	DPAK-3
Вес, г	0.35