STGD10NC60HT4, IGBT Transistors N Ch 10A 600V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 шт., срок 5-8 недель

1 960 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 960 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004828511

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V

Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.4 mm
Длина	6.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	PowerMESH
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STGD10NC60H
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	DPAK-3
Ширина	6.2 mm
Base Part Number	STG*10NC
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Gate Charge	19.2nC
IGBT Type	-
Input Type	Standard
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power - Max	60W
Series	PowerMESHв(ў
Supplier Device Package	DPAK
Switching Energy	31.8ВµJ(on), 95ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C	14.2ns/72ns
Test Condition	390V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Вес, г	0.35