STGF20M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
782 шт., срок 7-9 недель
2 290 ֏
от 10 шт. —
1 720 ֏
от 100 шт. —
1 340 ֏
от 500 шт. —
1 050 ֏
1 шт.
на сумму 2 290 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220FP-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 32.6 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 509 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
