STGF4M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
![STGF4M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
83 шт., срок 7-9 недель
1 370 ֏
от 10 шт. —
1 020 ֏
1 шт.
на сумму 1 370 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 23 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 8 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 8 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGF4M65DF2 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 uA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet STGF4M65DF2
pdf, 812 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг