STGP10H60DF, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.5 В, 115 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
928 шт., срок 9-11 недель
1 280 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
1 100 ֏
от 100 шт. —
890 ֏
9 шт.
на сумму 11 520 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 20А |
Power Dissipation | 115Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | H |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 10 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 115 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGP10H60DF |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 899 КБ
Datasheet STGP10H60DF
pdf, 1730 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг