STGP15H60DF, IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1007 шт., срок 7-9 недель
2 640 ֏
от 10 шт. —
2 070 ֏
от 100 шт. —
1 550 ֏
от 250 шт. —
1 350 ֏
1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
115W 30A 600V FS(Field Stop) TO-220-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 115 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Collector Current (Ic) | 30A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 103ns |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2V@15V, 15A |
Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 115W |
Pulsed Collector Current (Icm) | 60A |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 81nC |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | 118ns |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.207mJ |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | 24.5ns |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.136mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг