STGW40M120DF3, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 шт., срок 6-9 недель

7 600 ֏

от 10 шт. — 7 100 ֏

от 25 шт. — 6 200 ֏

от 100 шт. — 5 400 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 600 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828617

Unclassified

Описание Транзистор БТИЗ, 1.2KВ 80A TO-247 Tube Характеристики

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.85 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	40 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	468 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	M
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	38