Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW60V60F, IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V ...

STGW60V60F, IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

594 шт., срок 6-9 недель

5 200 ֏

от 10 шт. — 4 000 ֏

от 25 шт. — 3 640 ֏

от 100 шт. — 2 910 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 200 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828623

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

IGBT V Series
STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.35 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	375 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGW60V60F
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	375Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	600V V
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	38