STGWA20HP65FB2, IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
553 шт., срок 7-9 недель
3 960 ֏
от 10 шт. —
2 470 ֏
от 100 шт. —
1 990 ֏
от 250 шт. —
1 820 ֏
1 шт.
на сумму 3 960 ֏
Описание
Unclassified
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 147 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA20HP65FB2
pdf, 369 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
