STGY50NC60WD, IGBTs 600V 65A N-Channel
![STGY50NC60WD, IGBTs 600V 65A N-Channel](https://static.chipdip.ru/lib/127/DOC043127304.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1162 шт., срок 6-9 недель
13 600 ֏
от 25 шт. —
10 200 ֏
от 600 шт. —
9 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 110 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 110 A |
Factory Pack Quantity: | 600 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | Max247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 278 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 539 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг