STL13N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2483 шт., срок 6-9 недель
2 580 ֏
от 10 шт. —
2 050 ֏
от 100 шт. —
1 540 ֏
от 250 шт. —
1 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 580 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 52 W |
Qg - заряд затвора | 19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4.8 ns |
Время спада | 10.6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STL13N60DM2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 42.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 12.3 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | PowerFLAT-5x6-8 |
Вес, г | 0.076 |
Техническая документация
Datasheet STL13N60DM2
pdf, 755 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг