STL13N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET

STL13N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2483 шт., срок 6-9 недель
2 580 ֏
от 10 шт.2 050 ֏
от 100 шт.1 540 ֏
от 250 шт.1 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 580 ֏
Номенклатурный номер: 8004828728
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 52 W
Qg - заряд затвора 19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4.8 ns
Время спада 10.6 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия STL13N60DM2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 42.5 ns
Типичное время задержки при включении 12.3 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок PowerFLAT-5x6-8
Вес, г 0.076

Техническая документация

Datasheet STL13N60DM2
pdf, 755 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг