STL260N4F7, MOSFET N-channel 40 V, 1.05 mOhm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5470 шт., срок 6-9 недель
3 430 ֏
от 10 шт. —
2 720 ֏
от 25 шт. —
2 590 ֏
от 100 шт. —
1 950 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 430 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
MDmesh K5 Power MOSFETsSTMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 mOhms |
| Series: | STL260N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 830 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
