STL4N10F7, MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET
![STL4N10F7, MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/460/DOC029460660.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4777 шт., срок 6-9 недель
1 120 ֏
от 10 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
600 ֏
от 500 шт. —
452 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 120 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
STMicroelectronics STripFET VII Power MOSFETs
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2.9 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7.8 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
Rise Time: | 3 ns |
Series: | STL4N10F7 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 621 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг