STL4N10F7, MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET

STL4N10F7, MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4777 шт., срок 6-9 недель
1 120 ֏
от 10 шт.890 ֏
от 100 шт.600 ֏
от 500 шт.452 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 120 ֏
Номенклатурный номер: 8004828764
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
STMicroelectronics STripFET VII Power MOSFETs

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 4 ns
Id - Continuous Drain Current: 4.5 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerFLAT-3.3x3.3-8
Pd - Power Dissipation: 2.9 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 7.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 70 mOhms
Rise Time: 3 ns
Series: STL4N10F7
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 11 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6.3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.5 V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 621 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг