Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP10NM60N, MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A

STP10NM60N, MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1814 шт., срок 6-9 недель

3 560 ֏

от 10 шт. — 3 030 ֏

от 25 шт. — 2 250 ֏

от 100 шт. — 1 980 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 560 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004830063

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	15 ns
Id - Continuous Drain Current:	10 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	70 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	550 mOhms
Rise Time:	12 ns
Series:	STP10NM60N
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	32 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	15 ns
Id - Continuous Drain Current	10 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	70 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	12 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	32 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	550 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	70 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	1.95