STP11N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1013 шт., срок 6-9 недель

1 560 ֏

от 10 шт. — 1 250 ֏

от 100 шт. — 920 ֏

от 500 шт. — 780 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 560 ֏

Номенклатурный номер: 8004830068

Unclassified

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	7 A
Pd - рассеивание мощности	85 W
Qg - заряд затвора	12.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	670 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7.5 ns
Время спада	15 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh II Plus
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Power MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP11N65M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26 ns
Типичное время задержки при включении	9.5 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	0.33