STP12N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1706 шт., срок 6-9 недель
2 180 ֏
от 10 шт. —
1 650 ֏
от 100 шт. —
1 280 ֏
от 250 шт. —
1 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 395 mOhms |
| Rise Time: | 9.2 ns |
| Series: | STP12N60M2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 5.7A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 16nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.45Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 85W |
| Pulsed drain current | 36A |
| Technology | MDmesh™ M2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
