STP13N80K5, MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
978 шт., срок 6-9 недель
4 450 ֏
от 10 шт. —
3 870 ֏
от 25 шт. —
2 600 ֏
от 100 шт. —
2 150 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 450 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 7,6А, 190Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 370 mOhms |
| Rise Time: | 16 ns |
| Series: | STP13N80K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.37Ом |
| Power Dissipation | 190Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 190Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.37Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
