STP140N8F7, MOSFETs N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
![Фото 1/4 STP140N8F7, MOSFETs N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
552 шт., срок 6-9 недель
3 960 ֏
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 25 шт. —
2 790 ֏
от 100 шт. —
2 190 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 960 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 80В 90A 200Вт 0,0043Ом TO220
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Qg - заряд затвора | 96 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.3 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 51 ns |
Время спада | 44 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | STripFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP140N8F7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 82 ns |
Типичное время задержки при включении | 26 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
Maximum Drain Source Resistance | 4.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET H7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг