Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP160N3LL, MOSFETs N-channel 30 V ...

STP160N3LL, MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ 120 A, STripFET H6 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1180 шт., срок 6-9 недель

1 250 ֏

от 10 шт. — 1 030 ֏

от 100 шт. — 810 ֏

от 500 шт. — 620 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 250 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004830103

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	136 W
Qg - заряд затвора	42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	91 ns
Время спада	23.4 ns
Высота	4.6 mm
Длина	15.75 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	STripFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Power MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP160N3LL
Технология	Si
Тип	STripFET H6
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	24.5 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	10.4 mm
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0025Ом
Power Dissipation	136Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	STripFET H6
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	120А
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	136Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0025Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Вес, г	0.33