STP36N60M6, MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1008 шт., срок 6-9 недель

8 000 ֏

от 10 шт. — 7 500 ֏

от 25 шт. — 5 900 ֏

от 100 шт. — 4 590 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004830175

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	30 A
Pd - рассеивание мощности	208 W
Qg - заряд затвора	44.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.25 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	5.3 ns
Время спада	7.3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	Mdmesh M6
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	50.2 ns
Типичное время задержки при включении	15.2 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	1.8