STP4N90K5, MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET
![STP4N90K5, MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
473 шт., срок 6-9 недель
2 720 ֏
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 100 шт. —
1 630 ֏
от 250 шт. —
1 490 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a TO-220 package
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 5.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 11.8 ns |
Время спада | 25.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP4N90K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 26.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг