STP50N65DM6, MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

950 шт., срок 6-9 недель

8 900 ֏

от 10 шт. — 7 200 ֏

от 25 шт. — 6 600 ֏

от 100 шт. — 5 700 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 900 ֏

Номенклатурный номер: 8004830200

Unclassified

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	33 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	52.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	91 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.75 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	12 ns
Время спада	9.6 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N - Channel
Типичное время задержки выключения	59.6 ns
Типичное время задержки при включении	19.2 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	1