STP55NF06L, MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
![Фото 1/6 STP55NF06L, MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/899/DOC003899071.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728510.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/872/DOC025872545.jpg)
1379 шт., срок 6-9 недель
2 050 ֏
от 10 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 240 ֏
от 250 шт. —
1 140 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 39А, 95Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 20 ns |
Forward Transconductance - Min: | 30 S |
Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 95 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 27 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
Rise Time: | 100 ns |
Series: | STP55NF06L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 55 А |
Тип корпуса | TO-220 |
Максимальное рассеяние мощности | 95 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 4.6мм |
Высота | 9.15мм |
Размеры | 10.4 x 4.6 x 9.15мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.4мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 ns |
Производитель | STMicroelectronics |
Типичное время задержки выключения | 40 нс |
Серия | STripFET II |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 18 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 27 нКл при 4,5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1700 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 20 ns |
Forward Transconductance - Min | 30 S |
Height | 9.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 55 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 95 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
Rise Time | 100 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
Width | 4.6 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Power Dissipation | 95 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 318 КБ
Datasheet STB55NF06LT4
pdf, 335 КБ
Datasheet STP55NF06L
pdf, 332 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг