STP6N62K3, MOSFETs N-channel 620V 1.1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
949 шт., срок 6-9 недель
2 400 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 010 ֏
от 250 шт. —
940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-channel 620V 1.1
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.28 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12.5 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP6N62K3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 19 ns |
| Height | 9.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.28 Ohms |
| Rise Time | 12.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.6 mm |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1032 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
