STP6N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1356 шт., срок 6-9 недель
2 490 ֏
от 10 шт. —
1 920 ֏
от 100 шт. —
1 480 ֏
от 500 шт. —
1 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 490 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a TO-220 package
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 910 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12.2 ns |
| Время спада | 15.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP6N90K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 910 mOhms |
| Rise Time | 12.2 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet STP6N90K5
pdf, 589 КБ
Datasheet STP6N90K5
pdf, 728 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
