STP8N120K5, MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
924 шт., срок 6-9 недель
7 400 ֏
от 10 шт. —
6 300 ֏
от 25 шт. —
5 500 ֏
от 100 шт. —
4 690 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V, 2.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
| Power Dissipation (Pd) | 130W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STP8N120K5
pdf, 274 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
