STP8N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
![Фото 1/2 STP8N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC005611180.jpg)
989 шт., срок 6-9 недель
3 520 ֏
от 10 шт. —
2 760 ֏
от 25 шт. —
2 560 ֏
от 100 шт. —
1 980 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 520 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP8N90K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Base Product Number | STP8N90 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
REACH Status | REACH Unaffected |
Series | MDmeshв„ў K5 -> |
Supplier Device Package | TO-220 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг