STP9N60M2, MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
![Фото 1/2 STP9N60M2, MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172665.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC018299915.jpg)
1 шт., срок 6-9 недель
1 690 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
N-канал 600V 5.5A (Tc) 60W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
Base Product Number | STP9N60 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.5A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 3A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | MDmeshв„ў II Plus -> |
Supplier Device Package | TO-220 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 13.5 ns |
Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 60 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 10 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 780 mOhms |
Rise Time | 7.5 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.72Ом |
Power Dissipation | 60Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh II Plus |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.72Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг