Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STQ1NK80ZR-AP, MOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A

STQ1NK80ZR-AP, MOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1882 шт., срок 6-9 недель

1 070 ֏

от 10 шт. — 850 ֏

от 100 шт. — 640 ֏

от 500 шт. — 482 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 070 ֏

Номенклатурный номер: 8004830590

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Fall Time:	55 ns
Id - Continuous Drain Current:	300 mA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-92-3
Packaging:	Ammo Pack
Pd - Power Dissipation:	3 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	7.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	16 Ohms
Rise Time:	30 ns
Series:	STQ1NK80ZR-AP
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	22 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	0.34