STQ2HNK60ZR-AP, MOSFET N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4370 шт., срок 6-9 недель
1 200 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 100 шт. —
670 ֏
от 500 шт. —
498 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 Ohms |
| Rise Time: | 30 ns |
| Series: | STQ2HNK60ZR-AP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 280 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
