STS1DNC45, MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A
![Фото 1/2 STS1DNC45, MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC013431790.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171134.jpg)
4191 шт., срок 6-9 недель
2 670 ֏
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 100 шт. —
1 560 ֏
от 250 шт. —
1 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 670 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 10 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 Ohms |
Rise Time: | 4 ns |
Series: | STS1DNC45 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual Dual Drain |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 4 ns |
Height | 1.65 mm |
Id - Continuous Drain Current | 400 mA |
Length | 5 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOIC-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 2 W |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.1 Ohms |
Rise Time | 4 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-On Delay Time | 6.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 450 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 4 mm |
Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Datasheet STS1DNC45
pdf, 300 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг