STS5P3LLH6, MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9628 шт., срок 6-9 недель
1 160 ֏
от 10 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
670 ֏
от 500 шт. —
520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | STS5P3LLH6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.048Ом |
| Power Dissipation | 2.7Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET H6 DeepGATE |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.7Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 515 КБ
Datasheet STS5P3LLH6
pdf, 532 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
