STU10NM60N, MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2963 шт., срок 6-9 недель
3 740 ֏
от 10 шт. —
2 980 ֏
от 25 шт. —
2 100 ֏
от 100 шт. —
1 860 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 740 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 530 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | STU10NM60N |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 557 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
