STU2N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
![Фото 1/3 STU2N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530250.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/127/DOC004127019.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/544/DOC007544942.jpg)
134 шт., срок 6-9 недель
1 600 ֏
от 10 шт. —
1 250 ֏
от 100 шт. —
920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in IPAK package
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 32 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STU2N80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 19 ns |
Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Base Product Number | STU2N80 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | SuperMESH5в„ў -> |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | 30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 3.5Ом |
Power Dissipation | 45Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh K5 |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 2А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1566 КБ
Datasheet STU2N80K5
pdf, 1540 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг